為什么要去除光刻膠？

眾所周知，光刻膠是半導(dǎo)體晶圓制造的核心材料。在晶圓制程中，光刻工藝約占整個晶圓制造成本的35%，耗時占整個晶圓工藝的40-50%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。

在光刻環(huán)節(jié)里有個不可或缺的步驟就是晶圓去膠，光刻膠在完成圖形復(fù)制和傳遞作用后，晶圓表面剩余光刻膠需要通過去膠工藝進行完全清除。

光刻膠如何去除呢？

半導(dǎo)體光刻膠去除工藝，一般分成兩種，濕法去膠和干法去膠。相對于濕法去膠，等離子干法去膠利用高能等離子體處理光刻膠表面，去膠徹底且速度快，不需引入化學(xué)物質(zhì)，減少了對晶圓材料的腐蝕和損傷，是現(xiàn)有去膠工藝中最好的方式。

*圖源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察

ICP等離子去膠機

ICP等離子去膠機依托晟鼎多年的光刻去膠的經(jīng)驗積累，采用高密度、低損傷等離子源設(shè)計，同時配備晟鼎成熟的遠程ICP技術(shù)，達到高水平的去膠速率，并實現(xiàn)去膠損傷抑制；采用獨立腔室結(jié)構(gòu)設(shè)計，實現(xiàn)均勻的流場分布，去膠均勻性表現(xiàn)優(yōu)異。

產(chǎn)品優(yōu)勢：

● 兼容主流4-8寸圓形晶圓

● 單次可處理兩片晶圓，處理過程保持較低溫度

● 全自動程度高，實現(xiàn)全自動晶圓上下料、清洗流程

● 等離子密度高，去膠效果好

*設(shè)備除膠標準

RIE等離子去膠機

RIE PLASMA去膠機是適用于硅基材料的晶圓表面去膠的清洗設(shè)備，也可用于光刻膠去除，碳化硅刻蝕，硬掩膜層干法清除，刻蝕后表面清潔，氧化硅或氮化硅刻蝕，DESCUM，介質(zhì)與介質(zhì)間光阻去除等應(yīng)用領(lǐng)域，材料適用范圍：4-8寸。設(shè)備穩(wěn)定可靠、易于維護、產(chǎn)能高。

產(chǎn)品優(yōu)勢：

● 高密度等離子體，各種工藝兼容性高

● 清洗均勻性高，設(shè)備易于維護

● 緊湊集成式設(shè)計、占地少