芯片在引線框架基板上粘貼后，要經(jīng)過高溫使之固化。如果芯片表面存在污染物，就會影響引線與芯片及基板間的焊接效果，使鍵合不完全或粘附性差，強度低。在引線鍵合前運用等離子清洗，會顯著提高...
等離子作為一種高效、環(huán)保的表面處理技術(shù)，在半導(dǎo)體先進封裝領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用。通過等離子處理可以改善和解決半導(dǎo)體先進封裝中的諸多問題，包括改善凸塊（Bumping）工藝質(zhì)量...
在先進封裝領(lǐng)域，等離子技術(shù)是提高材料表面活性和改善界面粘附力的關(guān)鍵，能夠確保封裝結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和可靠性。憑借低溫處理、高能量密度、可控性強、兼容性高、處理均勻等優(yōu)勢，等離子技術(shù)有助于...
通過真空等離子對DBC基板表面進行活化，去除材料表面有機污染物，提升材料表面潤濕性。真空等離子表面活化后表面改善效果明顯，表面附著力得到提升，提升IGBT封裝的可靠性。
在半導(dǎo)體器件的制造中，歐姆接觸是實現(xiàn)高性能電路的核心技術(shù)之一。RTP技術(shù)能夠有效修復(fù)晶格損傷，提供更加穩(wěn)定、均勻的歐姆接觸，確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。
碳化硅（SiC）因其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高硬度、高耐磨性和良好的化學(xué)穩(wěn)定性而備受關(guān)注，特別是在高溫、高壓和強腐蝕環(huán)境下，碳化硅（SiC）展現(xiàn)出卓越的性能，在半導(dǎo)體、核能、國防及空間技術(shù)...
RTP快速退火爐是一種廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體、歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物/氮化物生長等工藝中的加熱設(shè)備，能夠在短時間內(nèi)將半導(dǎo)體材料迅速加...
在半導(dǎo)體制造中，快速熱處理(RTP)被認為是半導(dǎo)體制程的一個重要步驟。因為半導(dǎo)體材料在晶體生長和制造過程中，由于各種原因會出現(xiàn)缺陷、雜質(zhì)、位錯等結(jié)構(gòu)性缺陷，導(dǎo)致晶格不完整，施加電場...
首頁