半導(dǎo)體快速退火爐（RTP）是一種特殊的加熱設(shè)備，能夠在短時(shí)間內(nèi)將半導(dǎo)體材料迅速加熱到高溫，并通過快速冷卻的方式使其達(dá)到非常高的溫度梯度。在快速退火爐中，選擇合適的載盤材質(zhì)對(duì)于退火效...
快速退火爐利用鹵素紅外燈作為熱源，通過快速升溫將材料加熱到所需溫度，從而改善材料的晶體結(jié)構(gòu)和光電性能。其特點(diǎn)包括高效、節(jié)能、自動(dòng)化程度高以及加熱均勻等。此外，快速退火爐還具備較高的...
RTP快速退火爐的快速升溫過程和短暫的持續(xù)時(shí)間能夠修復(fù)晶格缺陷，進(jìn)而激活雜質(zhì)，優(yōu)化離子注入工藝后的導(dǎo)電性能。
碳化硅（SiC）是制作半導(dǎo)體器件及材料的理想材料之一，但其在工藝過程中，會(huì)不可避免的產(chǎn)生晶格缺陷等問題，而快速退火可以實(shí)現(xiàn)金屬合金、雜質(zhì)激活、晶格修復(fù)等目的。在近些年飛速發(fā)展的化合...
作為新一代半導(dǎo)體的代表材料，氮化鎵（GaN）具有大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和速率等特性，是制造高功率、高頻電子器件中重要的半導(dǎo)體材料。
半導(dǎo)體加工工藝及其它薄膜加工工藝過程中，各類光刻膠的等離子去除，去除材料表面污染物，保證與其他材料的結(jié)合能力。
隨著技術(shù)的不斷日新月異，半導(dǎo)體IC制程及封裝環(huán)節(jié)精密度要求也隨之提高。半導(dǎo)體芯片制造過程中殘留的光刻膠會(huì)明顯影響芯片在生產(chǎn)過程中相關(guān)工藝質(zhì)量，從而降低芯片的可靠性和產(chǎn)品合格率。射頻...
隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體封裝要求越來(lái)越高，而作為提高封裝質(zhì)量的微波等離子清洗成為了不可缺少的工序。清洗的目的是徹底清除設(shè)備表面上的粒子、有機(jī)和無(wú)機(jī)雜質(zhì)，以確保產(chǎn)品質(zhì)量。目前等離子...
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